型号:FZ1000R33HE3ENG
功能描述:IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
FZ1000R33HL3
FZ1200R12HE4
FZ1200R12HP4
FZ1200R12KE3
FZ1200R12KF4
FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4C
FZ1200R16KF4
FZ1200R16KF4S1
FZ1200R17HE4
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